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英飞凌IGBT芯片技术及选型

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深圳逸盛通科技有限公司

时间 : 2018-11-04 23:22 浏览量 : 39

IGBT

IGBT(绝缘栅双极晶体管)绝缘栅双极晶体管是由BJT(双极晶体管)和MOS(绝缘栅场效应晶体管)组成的复合完全控制电压驱动功率半导体器件,其具有两个MOSFET。 GTR的高输入阻抗和低导通电压降的优点。 GTR饱和电压降低,载流密度大,但驱动电流大; MOSFET驱动功率小,开关速度快,但导通电压降大,且载流密度小。 IGBT结合了上述两种器件的优点,具有低驱动功率和降低的饱和电压。适用于直流电压为600V及以上的转换器系统,如交流电机、逆变器、开关电源、照明电路、牵引驱动和其他领域。

igbt


 IGBT是一种十分重要的电力电子器件。它既有功率MOSFET驱动功率小、开关频率高的优点,又有大功率晶体管导通电压低、通态电流大的优点。它在任何时刻可关断通态电流,避免了普通晶闸管在一个半波内只能导通不能关断的弱点。在电力电子领域是一个十分有发展前途的大功率半导体器件。
  IGBT这种新型功率半导体器件又称绝缘栅双极型晶体管,是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品,广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、新能源、交流变频、风力发电、电机传动、汽车等强电控制等产业领域。它问世近三十年,已做到12吋硅晶片、6500伏的高水平。

“薄如蝉翼”的IGBT芯片 
“薄如蝉翼”的IGBT芯片

  IGBT芯片发展趋势是:薄片工艺,主要是减少热阻,减小衬底电阻从而减小通态损耗[9];小管芯,主要是提高器件的电流密度,15年来管芯的 面积减少了2/3;大硅片,硅片由5英寸变为12英寸,面积增加了5.76倍,折算后每颗芯粒的成本可以大大的降低。
  Infineon英飞凌专注于迎接现代社会的三大科技挑战: 高能效、 移动性和 安全性,为汽车和工业功率器件、芯片和安全应用提供半导体和系统解决方案。英飞凌的产品素以高可靠性、卓越质量和创新性著称。

英飞凌分别针对小、中、大功率应用而设计的三种IGBT4芯片
英飞凌分别针对小、中、大功率应用而设计的三种IGBT4芯片 

  英飞凌IGBT4芯片技术:
  •基于沟槽栅+场终止结构,1200V和1700V;
  •1200V三种类型:小功率T4、中功率E4、大功率P4;
  •1700V两种类型:中功率E4、大功率P4;
  •P4实现软关断特性的明显提升,关断时电压尖峰小,无振荡;
  •T4和E4提高关断速度,开关频率较高时输出能力优于T3和E3;
  •配用反向恢复特性更"软"的EmCon4续流二极管;
  •饱和电压正温度系数,10 µs短路承受时间不变。
 
  英飞凌IGBT芯片选型(以下芯片如有需要,请联系我司相关人员)

英飞凌IGBT芯片选型

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